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金剛(gāng)石功能化(huà)應用領域介紹

時間(jiān):2024-12-16 18:11:29 點擊:1580 次 來源:本站

  金剛石具有優良的電學性能:超寬的帶隙,超高的擊穿場強,高電子和空穴遷移率,有望成為“**半導體”;在聲學上,金剛石在(zài)所有材料(liào)中具有(yǒu)*高的表麵聲波速度(dù)和極高的楊氏模量;在光學上,金剛石可透過從遠紅外到紫(zǐ)外小於帶隙能量的光子;在熱學上,其導熱性超過銅,因此金(jīn)剛石具有跨領域(yù)應用的潛力。表1顯(xiǎn)示了金(jīn)剛石材料(liào)的性能與其對應的應(yīng)用領域。

表1. 金剛石材料(liào)的性能

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功能金剛石的合成

 

    相(xiàng)對於(yú)傳統金剛石(shí)高溫高(gāo)壓(HPHT)合成方法,功能(néng)金剛石主(zhǔ)要(yào)采用(常壓)化學氣相沉積(CVD)的方法。CVD金剛石分為CVD薄膜(常規金剛石膜、納米金剛(gāng)石膜(mó),厚度小於50μm)和自支撐(chēng)型厚膜(單晶(jīng)金剛石(shí)和多晶金剛石)。按合成技術(shù)分為微波輔助型(MPCVD)、熱絲型和直流型。MPCVD技術(shù)是(shì)目(mù)前主流的合成高質量金剛石的方法。不同CVD技術(shù)的比(bǐ)較見表2所示。

 

表2. CVD合成金剛石的主要方法及特點

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功能金剛石的(de)應用

    1 寶石級(jí)的人造金剛石

    高溫高壓(HTHP)方法是(shì)製造培育鑽石的主要方法。化(huà)學氣相沉積(CVD)製造培育鑽石方法,近三年突飛猛(měng)進,成本大幅(fú)減低,工藝穩定性取得明顯進展(zhǎn),已量產並工業批量投放市場。

    2 金剛石半導體

    金剛石被認為是(shì)製備下一代高功率、高頻(pín)、高溫及低功率損耗電子器件*有希望的材料(liào),被業(yè)界譽(yù)為“**半導體(tǐ)”。金剛石為間接帶隙半導體材(cái)料,禁帶寬度約為5.5eV,熱導率高達22W/(cm·K)。室溫電子和空穴遷移率高達4500cm²/(v·S)和(hé)3800cm²/(v·S),遠高於第三代半導體材料GaN和SiC。另外(wài),由(yóu)於金剛石具有很大的激子(zǐ)束縛能(約80meV),使其在室溫下可實現高強度的自由激子發射(發光波長約為235nm),在製備(bèi)大功率深紫(zǐ)外發光(guāng)二極管方麵具有很大的潛力,在極(jí)紫外深紫外和高能粒子探測器的研製中也發揮著重要作用。另外,對於單晶金剛石襯底材料的生長,還要有高的生長速率以及大的晶體尺寸,同時要實現金剛石的半(bàn)導體功能需要對(duì)其(qí)進行有效的摻雜,使其具備良好的n型或(huò)p型導電性質。

    可以展(zhǎn)望(wàng),隨(suí)著(zhe)金剛石半導體技術的不斷發展(zhǎn),未來必將突破n型摻雜技術、大尺(chǐ)寸高(gāo)質量單晶製備及高平整度、高均勻性材料外延技術等瓶頸問題,實現更高(gāo)功率性能的金剛石電子器件,從而為消費(fèi)者創造更快、更輕、更(gèng)簡單的設備。金剛石(shí)半導體器(qì)件比矽(guī)芯片更便宜、更(gèng)薄,基於金剛石的電子產品很可能成為高能效電子產(chǎn)品的(de)行業標準,其將對(duì)一些高新行業和****產品產生顯著影響(xiǎng),包括更快的超級計算機、先進的雷達和電信係(xì)統、超高效混合動力汽車、極端環境中的電(diàn)子(zǐ)設備以(yǐ)及下一代航空航天電子設備等。

    3 金剛石的(de)熱學應用

    金剛石具有(yǒu)目前所知的天然物質中(zhōng)*高的熱導率(2200W/(m·K)),比碳化矽(SiC)大4倍,比矽(guī)(Si)大13倍,比砷化稼(GaAs)大43倍(bèi),是(shì)銅和銀的4~5倍,低的(de)熱膨脹係數(0.8×10^-6~1.5×10^-6K^-1)和高的彈性模量等優良性能。是一種具有良好前景的優異的(de)電子封裝材料。典型(xíng)的應用有金剛石增強金屬封(fēng)裝材料(liào)(Dianmond/Cu、Diamond/Al)和熱沉-金(jīn)剛石襯底GaN器件等。金剛石增強金屬基封裝材(cái)料已經商用,其熱導率已可達到 350~ 600W / (m·K),隨(suí)著人造金剛石價格(gé)大幅降低,單位體積金剛石顆(kē)粒的價格已接近甚(shèn)至低於W、Mo等難熔金屬的價格,為大規模生產創造了必備(bèi)的條件。

    極高(gāo)的導熱係數與電絕緣相結合(hé),使(shǐ)得金剛石成為許(xǔ)多高功率密度設(shè)備的**散熱器。激光二極管結(jié)處散(sàn)熱(rè)就是CVD金剛石的*早應用之一(yī)。*近,在晶圓(yuán)數量(liàng)級上,CVD金剛石與(yǔ)GaN的集成已經成為可能,這種(zhǒng)集成允許在無線電頻率下實現更高的功率密度。

    4 光學(xué)應用

    理想的電力傳輸窗口將具有:

    (a)非常低的總吸收(窗口和塗層的(de)吸收(shōu)係數×窗口(kǒu)厚度。

    (b)低熱膨脹係數(幾(jǐ)何形狀隨溫度的變化較小)。

    (c)高導熱率(將熱量從加熱物體中散(sàn)開(kāi)的能力)。

    (d)高(gāo)強度和楊(yáng)氏模量(允許使用更薄的窗口)。

    (e)折射率隨溫度變化小。

    金剛石幾乎全(quán)部滿足上述要求,多晶金剛石在光學窗口方麵有許多應用場景,部分已(yǐ)產業化。

    除了光(guāng)學窗口外,多晶金剛石還具有裝飾作(zuò)用(yòng),金剛石的塗(tú)層不僅具有(yǒu)閃光效果還有多種顏色。用於高端鍾表的製造,奢侈品的裝飾性塗層以及直接作為時尚製品。金剛(gāng)石其強度和硬度是康寧玻璃的(de)6倍和10倍,因此也被應(yīng)用於(yú)手(shǒu)機顯示屏(píng)和照相機鏡頭。

 

    5 金剛石聲學器件

    金剛石密度低,楊氏模量和強度高(gāo),這使得它成為一種高性能的高頻聲材料。

    金剛石,可以在高達70kHz的頻率下保持完美(měi)的振動運動而(ér)不失真,從而提供幾(jǐ)乎完美的聲音再現。此外金剛石還具有*高的聲表麵波速(sù),是用於聲表(biǎo)麵波濾(lǜ)波器的**材料,能夠(gòu)提高濾波頻率和功率承受能力。

    6 摻硼金剛石(BDD)電極

    研究表明BDD是一種環(huán)保新型電極材料(liào),作為陽極的電化學(xué)法對染料、農藥、抗生素、內分泌(mì)幹擾物等多種(zhǒng)難降解(jiě)的(de)有機汙染(rǎn)物、大分子物質等都表現出了很好的去(qù)除效果,幾乎都可實現完全礦化,是一(yī)種環境友好型的汙染治理方法,因而得到了越來越多(duō)的關注。

    采用摻硼金剛石(BDD)作為電極的電化學氧化法,利用(yòng)在水中產生具有強氧化性能的羥基自由基(jī)(·OH),能(néng)快速高效地降解汙(wū)水中的(de)有機物,這類電極具有*寬(kuān)的電化學窗口、極高的析氧電位(wèi)、極好(hǎo)的化學穩定性,可在(zài)強酸、強堿(jiǎn)、高鹽環境中長時間連續運行,有望(wàng)成為*具潛力有機(jī)廢(fèi)水處理技術。

    7 金剛石量子技術的應用

    金剛石量子技術為21世紀的(de)兩個關鍵問題提供了潛(qián)在的解決方案:生物(wù)醫學和(hé)持續增長的信息經濟。金剛石有能力將缺陷變成量子資源,這種缺陷是特定的,即氮空位缺陷(NV),其獨特的性質使其量子態可以在(zài)室溫下使用(yòng)光來操縱和讀出。在基於量子的應用中,人造金剛石充當雜質或缺陷的主體,像(xiàng)固態原子陷阱一樣起作用。這些雜質的量子特性,例如氮空位缺陷,可以單獨操作(zuò)並使其相互作用,並且從這些(xiē)雜質發出的光的光子可以用於讀出(chū)它們(men)的量子信息。

    由於金剛石具有廣(guǎng)闊的應用前景、化學惰性、機械硬(yìng)度、表(biǎo)麵(miàn)改性能力、可(kě)調導電性和生物相(xiàng)容性等優點,金剛石作(zuò)為醫療器械與人體之間的界麵被廣(guǎng)泛研究。金剛石塗層已被考慮用(yòng)於(yú)各種醫療設備的應用,包括保護(hù)塗層、生物界麵和(hé)生物傳感器。大尺寸的單晶/多晶金剛石可以製成鋒利的刀片。納米金剛石根據(jù)其特性可以用作運輸藥物和具(jù)有標記特性的靶向材料。

    8 納米金剛石潤滑油(yóu)

    納米金剛石具(jù)有較大的表(biǎo)麵積,且表麵有著(zhe)豐(fēng)富的官能(néng)團,這些特性使(shǐ)其表麵(miàn)具有特殊的吸附性,易於發生(shēng)化學(xué)反應,故經過處理的球形納米金剛石在(zài)潤滑油中有著良好的分散性。近年來,大量的實驗表明,在潤滑油中加入(rù)千分之一的球形納米(mǐ)金剛(gāng)石就能有效地提高潤滑油的抗磨減震(zhèn)效果,而且可以廣泛應用於各種機械結構中。


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