大族半導體金剛石QCBD激光切片技術取得（dé）重大突破

       隨著（zhe）半導體（tǐ）工業的迅猛發展，市場對於（yú）更高性能（néng）半導體材料的需求日益增長。金剛石以其獨特（tè）的物理與化（huà）學特（tè）性，有望在下一代半導體產業中扮演更加重要（yào）的角（jiǎo）色。金（jīn）剛石憑借其優異的導熱性能、超寬的禁帶結構以（yǐ）及較高的載流子遷移率，在高功率、高頻及高溫環境下的電子器件中展現出巨大的應用潛力。然而，金剛石的極（jí）高硬度猶如（rú）一把雙刃劍，既是性能卓越的基石（shí），也為加工過程帶來了前所未有的挑戰。這一特性使得傳統機械切割工藝在應對金剛石時（shí），麵臨（lín）著材料損耗大、加工效率低等瓶頸。特別是在大尺寸金剛（gāng）石的精密製（zhì）造過程中（zhōng），加工良率的提升與（yǔ）成本的有效控（kòng）製，已成（chéng）為製約金（jīn）剛（gāng）石（shí）在尖端科技領域（yù）實現廣泛應用的兩大核心障礙。

       在此嚴峻形勢下，大族激光旗下全資子公司大族半導（dǎo）體（tǐ）聚（jù）力攻克金剛石激光切片技術（QCB for diamond），在金剛石加工領域（yù）帶來了顛覆性的創新突破。這項技術不僅極大提升了加工效率與良率，更將有（yǒu）效降低生產成（chéng）本，為金剛石在高（gāo）性能電子器件、量子（zǐ）計算、高功（gōng）率激光等多個前沿科技領域的廣泛應用奠定基礎。

       技術原理

       金剛（gāng）石（shí）的激（jī）光（guāng）切片技術利用激光在材料內部進行非接觸性改性加工，通過**控製激（jī）光在材（cái）料內部的作用位置，實現材料的分離。這一技術主要包括兩個步（bù）驟（zhòu）：首先，激光束精準聚焦在晶錠的亞表麵特定深度（dù），形成一層經過改質的材料（liào）區域。這一步驟中，激光誘導（dǎo）的物理和化學變化使改質層內的材料性質發生變（biàn）化，為後續裂紋的引導（dǎo）擴（kuò）展打下基礎。接著，通過施加外部應力，如機械力或熱應力，引導裂紋沿著指定平麵擴展（zhǎn），實現晶（jīng）片的無損分離。整個（gè）過程中，激光（guāng）的高（gāo）能量密度使得材料內部（bù）發生物理和化學變化，確保（bǎo）了分離（lí）過程的**性和高（gāo）效性。

       與碳（tàn）化矽晶錠不同，金（jīn）剛石的解理麵與晶圓切片方向存在較大的角度差異，這使得（dé）剝離麵的起伏更難控（kòng）製。因此，在（zài）實際（jì）加工過程中，必須**調節激光的能量（liàng）和光學調製，確保激光（guāng）能量分布均勻、作用位置**，從而有效控製（zhì）裂紋的擴展方向及剝離（lí）麵的平整度。整個過程（chéng）中，超快激光脈衝的高能量密（mì）度引入，使得材料內部超短時間和空間尺度內發生劇烈的物理和化學變化，這種高精度的能量控製確保了分離過程的**性和高效（xiào）性（xìng）。

       綜上，相比傳統的機械加工方法，激光切片（piàn）具有許多（duō）顯著優勢。首先（xiān），它是一（yī）種非接觸性加工方式（shì），避（bì）免了機械應力對晶錠的損傷，減少了碎裂和（hé）微裂紋的風險。其次，激光切片能夠實現極高的加（jiā）工精（jīng）度和質量，特別適用於金剛石這種硬度高、脆性大的材料。QCBD激光切片工藝大大減少了材料的浪（làng）費（fèi），提高了材料的利用率以及加工（gōng）效率，這對於高價值的金剛石材料尤為重要。

       目前在（zài）商業應用方麵，金剛石激光切片設備尚處於初期研發階段。與碳化矽晶錠加工技術相比，金剛石切片技術的商業化進程相對滯後。由於金剛石的物理性質極為特殊（shū），如（rú）何在保證切割質量的（de）前提下實現大規（guī）模生產是技術研發麵臨（lín）的重（chóng）大挑戰。

       近（jìn）期，大族半（bàn）導體（tǐ）在金（jīn）剛石切片領（lǐng）域取得了重要的技術突破，推出了QCBD激光切（qiē）片技術及其相關設備，實（shí）現了金剛石高質量低損傷高效率激光切片（piàn）。這一成果標（biāo）誌著激光切片技術（shù）在金剛石材料加工中取得重要進展，填補了國內在該領域的技術（shù）空白。通過對激光能量的**調控與光束形（xíng）態的調製（zhì），大族半（bàn）導體克服了金剛石（shí）解理麵{111}與切片（piàn）方向{100}之間較大角度帶來的加工難題，實現（xiàn）了（le）晶錠的高精度、低損傷（shāng）剝離。根據大族半導體QCB研究實（shí）驗室研究數據顯示，使用該技術，剝離後粗（cū）糙（cāo）度（dù）Ra低至3μm以內，激光損傷層可大（dà）幅度降低至（zhì）20μm。這項技術突破將大幅降低金剛石的加工成本，推動其（qí）在電子、光學等（děng）高（gāo）端領域的廣泛應用。

       大族（zú）半導體研發的金剛石激光切（qiē）片技術，憑借出眾的加工效能，已成功攻克半導體材料加工技術領（lǐng）域的眾多棘手難題（tí）。這一技術的突破，不僅顯著加速（sù）了生產流程，將生產效率推（tuī）向新高，而且精細入微的工藝確保了產品質量的飛躍式提（tí）升，同時，通過優化生產流程，有效降低了製造成本，展現（xiàn）出了極為廣闊（kuò）的市場應用前景，預示著其在未來的***製造領域中必將占據舉足（zú）輕（qīng）重的地（dì）位，**半導體材料加工技術邁向一（yī）個全新的發展階段。